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悼!TISA2018傑出資訊儲存獎章得主施敏教授於2023年11月6日辭世。(美國當地時間)
施敏博士所獲得之榮譽包含中央研究院院士、中國工程院外籍院士、美國國家工程院院士。並於全球電機電子工程師學會（IEEE）頒贈2017年度「尊榮會員」〈Celebrated Member〉；全球迄今僅有九位科學家獲此殊榮，包括1973年諾貝爾物理獎得主Leo Esaki、2000年物理獎得主Herbert Kroemer及2009年物理獎得主George E. Smith。施敏教授為台灣獲此獎項的第一人。
施敏博士對半導體產業的重要貢獻如下
1.開啟數位時代
施敏博士於1967年發現「浮閘記憶體效應」(Floating Gate Memory Effect)，是包括Flash Memory在內所有可程式化非揮發性記憶體的基礎，此記憶體衍生出EPROM，EEPROM及快閃記憶體。這項劃時代發現促成資訊儲存的革命性發展並開啟了數位時代。此記憶體現已廣泛應用於手機、平板電腦、隨身碟、雲端運算、數位相機、數位電視、全球定位系統等電子產品中。此記憶體更促成AI、IoT、大數據、機器人及固態硬碟之快速發展。
2.著作
施敏博士在33歲(1969年)時，以英文寫成一本八百多頁的「半導體元件物理學」（Physics of Semiconductor Devices），那是當時全球最早、最詳盡的半導體教科書。發行後隨後被翻譯成六國語言，光計算正版數量，全球就超過150萬冊。該本書籍第二、三版分別於1981年及2007年發行，讀者幾乎涵蓋所有半導體人士，迄今被引用次數至少51,000次。
3.人才培育
學生包括交大前校長張俊彥、空中大學前校長陳龍英、鈺創董事長盧超群、台積電副總經理暨技術長孫元成，以及交通大學副校長謝漢萍等人。
4.產業政策
施教授在孫運璿資政擔任經濟部長時，擔任「經濟部發展積體電路計畫工作小組」成員之一，台灣現有蓬勃發展的半導體產業，以及傲視國際的半導體人才，施教授功不可沒。
施教授發現「浮閘記憶體效應」此效應對資訊儲存有革命性之影響，不但開啟了數位時代並未人類帶來史無前例之福址。